3月11日，陜西省省長劉國中主持召開省政府第六次常務會議。會議研究了2019年度省科學技術獎勵等工作。會議決定，授予郝躍、楊紹卿、安芷生三位院士2019年度陜西省最高科學技術獎，并對260個項目進行獎勵。
據悉，陜西省最高科學技術獎主要授予在本省從事科學研究或技術開發轉化工作中做出重大貢獻的科學技術工作者或組織。
郝躍院士，長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。是我國第三代半導體電子學領域的開拓者和引領者，也是該領域享譽全球的微電子學知名學者。
郝躍院士長期奮斗在科研和教學一線，從上世紀九十年代開始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件研究，開拓和引領了我國第三代（寬禁帶）半導體電子材料與器件的發展。在基礎研究方面攻克了低缺陷氮化鎵材料生長的難題，研制出高質量材料生長的設備，實現了同期最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，實現了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創新，并使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。成果應用于國防和國家重點領域，為國家科技與經濟發展做出了突出貢獻。科研教學成果使得陜西省在第三代半導體研究領域處于國內領先地位，在國際上有重要地位。
郝躍院士曾獲1998年國家科學技術進步獎三等獎，2009年國家技術發明獎二等獎，2015年國家科學技術進步獎二等獎，2008年國家科學技術進步獎二等獎，2010年獲得何梁何利科學與技術進步獎和2014年國家級教學成果二等獎，2018年國家級教學成果一等獎。
郝躍院士獲得2019年度陜西省最高科學技術獎，這是對一位三十年來，艱苦奮斗、潛心探索、為我省科技事業做出突出貢獻的科學家的肯定，也是對三十年來矢志不渝、攀登科學高峰，付出無數心血和智慧的科學家的贊譽。郝躍院士既是廣大科技工作者的榜樣，也是全省廣大九三學社社員的驕傲，更是九三學社的榮光。郝躍院士將繼續帶領團隊，攻堅克難、持續創新，不斷沖擊新的世界科技前沿，為實現“兩個一百年”奮斗目標和中華民族偉大復興的中國夢作出新的更大貢獻！（李靜）
