5月12日-17日，在功率半導體領域最頂級的學術年會——第三十屆國際功率半導體器件與集成電路年會（IEEE ISPSD 2018）上，九三學社社員、微電子學家、中國科學院院士陳星弼因對超結功率半導體器件的卓越貢獻入選ISPSD首屆名人堂，成為國內首位入選名人堂的華人科學家。
大會主席Jhon Shen和顧問Mutsuhiro Mori共同為陳星弼（中）頒獎
授獎儀式和慶祝晚宴于5月16日晚在美國芝加哥舉行。大會主席Jhon Shen和顧問Mutsuhiro Mori共同為陳星弼頒獎。
ISPSD首屆名人堂入選者是由ISPSD委員會根據成立30年以來全球相關領域的科學家對功率半導體器件與功率集成電路做出的貢獻進行評選。此次全球僅有32位科學家入選。
在2015年第二十七屆國際功率半導體器件與集成電路年會（IEEE ISPSD 2015）上，陳星弼因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻獲得大會頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。
ISPSD是國際電氣與電子工程師協會（IEEE）主辦的不帶地區色彩的高水平學術會議，是功率器件領域的頂級國際學術會議。該會每年舉辦一屆，自1992年的第三屆開始，輪流在日本（2007年為韓國）、美國（1999年為加拿大）和歐洲舉辦。自2015年起，中國成為該會的常任舉辦國之一。
陳星弼，1931出生于上海。微電子學家。教授，博士生導師，1999年當選為中國科學院院士。2001年加入九三學社。他1952年畢業于同濟大學，后在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工作。1956年開始在成都電訊工程學院工作。1980年美國俄亥俄州大學作訪問學者。1981年加州大學伯克萊分校作訪問學者、研究工程師。1983年任電子科技大學微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。他著書7本，發表學術論文110多篇，申請中國發明專利20項（已授權17項），申請美國發明專利19項（已授權16項，另有兩項已通知準備授權），申請國際發明專利1項。獲國家發明獎及科技進步獎2項，省部級獎勵13項，完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家“八五”科技攻關項目多項。
